Уникальная научная установка - Многофункциональный аналитический субангстремный сверхвысоковакуумный комплекс "МАССК-ИФП" .
Сайт УНУ: isp.nsc.ru/massk/

Метод отражательной электронной микроскопии (ОЭМ), не имеющий аналогов в России, обладает высокой чувствительностью к элементам структуры поверхности и обеспечивает пространственное разрешение, достаточное для визуализации индивидуальных моноатомных ступеней (высотой 0,31 нм на Si(111) и 0,14 нм на Si(001)), двумерных островков и сверхструктурных доменов при высокой температуре (например, 1300°С). Оборудование для СВВ ОЭМ не выпускается и, согласно литературным обзорам, метод СВВ ОЭМ в наиболее полном объеме реализован в Токийском Институте Технологий (Япония) и в Институте физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН. Система СВВ ОЭМ включает устройство дифференциальной криогенной откачки, обеспечивающее сверхвысокий вакуум в районе образца и позволяет нагрев и охлаждение образцов от температуры жидкого азота до температуры плавления; имеется возможность проводить осаждение на исследуемую поверхность атомов различных элементов из молекулярных пучков.

ОЭМ
  1. Марка — СВВ-ОЭМ на базе ПЭМ JEM-7A (JEOL, Япония).
  2. Производитель/страна — ИФП СО РАН, Россия.
  3. Технические характеристики:
    • СВВ условия вокруг образца (Рост<10-9 Торр).
    • Ускоряющее напряжение до 150 кВ.
    • Режим дифракции отраженных электронов.
    • Проведение in situ экспериментов при высоких температурах.
    • Осаждение различных элементов из молекулярных пучков.
    • Резистивный нагрев (Si(111) до 1400°C).
    • Возможность быстрого охлаждения образца со скоростью до 400°C/сек.
  4. Местонахождение в ЦКПОтделение отражательной электронной микроскопии, к. 106.
  5. Год модернизации — 2011.
  6. Балансовая стоимость — 35 тыс. руб.
  7. Нормативная стоимость часа работы с учетом амортизации — 2195 руб.
  8. Нормативное (среднее) количество обработанных образцов в час — 0,05.
  9. Предоставляемые услуги:
    • Наноструктурирование нелитографическими методами посредством in situ управления процессами самоорганизации структуры поверхности кристаллов в сверхвысоковакууумных условиях.
    • Проведение измерений линейных размеров элементов структур микро- и нанорельефа поверхности твердотельных материалов и биологических объектов в нанометровом диапазоне.