Основа комплекса — система Q150T ES (Quorum, Германия) — универсальная вакуумная система, позволяющая получать пленки металлов методами термического испарения и катодного распыления материалов, а также углеродные пленки методом вакуумно-дугового испарения графита, и система PIPS™(Precision Ion Polishing System) модели 691 фирмы GATAN, которая является прецизионным устройством для пробоподготовки путем ионного травления образцов тонких фольг различных материалов ионным пучком и предназначена для создания в них лунки с целью утонения образца до получения сквозного отверстия для последующего исследования подготовленных образов в просвечивающем электронном микроскопе.

  1. Марка — Q150T ES.
  2. Производитель/страна — Quorum, Германия.
  3. Местонахождение в ЦКПОтделение высокоразрешающей электронной микроскопии и Отделение пробоподготовки, к. 109.
  4. Год модернизации — 2013.
  5. Балансовая стоимость — 1 300 тыс. руб.
 
691 PIPS Gatan
  1. Марка — PIPS™(Precision Ion Polishing System) модель 691
  2. Производитель/страна — GATAN, США.
  3. Технические характеристики:
    • Ионные пушки: две ионные пушки Пеннинга с миниатюрными постоянными редкоземельными магнитами.
    • Угол травления: от +10° до -10°, угол наклона каждой ионной пушки может регулироваться независимо.
    • Энергия ионного пучка: от 1,5 кэВ до 6 кэВ.
    • Диаметр пучка: 350 мкм (ширина на полувысоте интенсивности) при 5 кэВ, 800 мкм (ширина на полувысоте интенсивности) при 5 кэВ для пушек с широким ионным пучком.
    • Плотность ионного тока: 10 мA/см2(пиковое значение).
    • Юстировка пучка: прецизионная юстировка пучка с помощью флюоресцентного экрана.
    • Размер образцов: до 3 мм.
    • Крепление образцов: запатентованный держатель DuoPost.
  4. Местонахождение в ЦКПОтделение высокоразрешающей электронной микроскопии и Отделение пробоподготовки, к. 120.
  5. Год модернизации — 2010.
  6. Балансовая стоимость — 4500 тыс. руб.
  7. Предоставляемые услуги:
    • Исследования атомной структуры веществ методами высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии с корректором сферических аберраций, включая исследования на просвет планарных структур и поперечных сечений.
    • Препарирование образцов для проведения исследований методами высокоразрешающей электронной микроскопии, основанных на утонении кристалла методами механической, химико-механической, химической и ионной обработки.
  8. Используемые методики:
    • Методика препарирования планарных кристаллических образцов для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, включающая химико-механическую полировку, химическое травление и термическое окисление.
    • Методика изготовления образцов поперечного сечения, основанная на ионном травлении тонких механических срезов склеенных структур, для изучения пространственного распределения, морфологии и атомной структуры нанообъектов, протяженных дефектов, границ раздела методами просвечивающей электронной микроскопии.
    • Оригинальная методика препарирования сложных химических соединений на основе А2В6 для просвечивающей и высокоразрешающей электронной микроскопии, позволяющая изготовление планарных и поперечных сечений на основе химико-механического утонения.