| Полупроводниковая вакуумная спинтроника |
Терещенко Олег Евгеньевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Электрооптические модуляторы для телекоммуникаций и радиофтоники |
Гуляев Дмитрий Владимирович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Эффекты взаимодействия электромагнитного излучения с массивами частиц германия и кремния субволнового размера |
Шкляев Александр Андреевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Кремниевая нанометрология |
Щеглов Дмитрий Владимирович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Процессы на поверхности кремния: от исследования диффузии атомов до управления макрорельефом |
Рогило Дмитрий Игоревич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Кремний в современной электронике |
Наумова Ольга Викторовна (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Приемники инфракрасного и терагерцового излучения на основе квантовых ям и микроболометров |
Демьяненко Михаил Алексеевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Проблемы и задачи на пути внедрения FRAM на основе HfO2 |
Исламов Дамир Ревинирович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Влияние ВЧ-поля на электронные наноустройства |
Ткаченко Виталий Анатольевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Квантовые компьютеры на холодных атомах |
Бетеров Илья Игоревич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Процессы химического осаждения из газовой фазы в современных технологиях формирования материалов электронной техники |
Косинова Марина Леонидовна (Институт неорганической химии им. А.В. Николаева СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Гибридные полупроводниковые перовскиты для солнечных элементов |
Семенова Ольга Ивановна (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|
| Применение аналитической высокоразрешающей электронной микроскопии для анализа атомного строения нанокристаллов силицидов железа в матрице кремния для интегральной кремниевой фотоники |
| Гутаковский Антон Константинович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Новая наноструктурная форма гексагонального Si в плоскости {113} дефектов как результат класте-ризации дивакансий и междоузельных атомов |
Федина Людмила Ивановна (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН,
г. Новосибирск) |
|