| Атомные процессы при формировании наносистем |
| Латышев Александр Васильевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Физические явления в кремниевых квантово-размерных структурах для компонент наноэлектроники, нанофотоники и спинтроники |
| Двуреченский Анатолий Васильевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Топологические изоляторы на основе HgTe |
| Квон Зе Дон (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Развитие молекулярно-лучевой эпитаксии в ИФП СО РАН |
| Пчеляков Олег Петрович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Компьютерное моделирование формирования полупроводниковых наноструктур |
| Филимонов Сергей Николаевич (Томский государственный университет, г. Томск) |
|
| От вицинальных поверхностей к нитевидным нанокристаллам: динамика ступеней и развитие формы нанокристалла |
| Эрвье Юрий Юрьевич (Томский государственный университет, г. Томск) |
|
| Структура и оптические свойства дислокаций в кремнии |
| Федина Людмила Ивановна (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Применение цифровых методик для получения количественной информации при ВРЭМ исследованиях полупроводниковых наносистем |
| Гутаковский Антон Константинович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия напряженных наногетероструктур на основе соединений материалов 4 группы |
| Никифоров Александр Иванович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Перспективные приборы радиофотоники на основе фосфида индия |
| Журавлёв Константин Сергеевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Автоматизированные измерители удельного сопротивления «Рометр» и времени жизни неравновесных носителей заряда «Тауметр-2М» в кремнии |
| Владимиров Валерий Михайлович (Федеральный исследовательский центр «Красноярский научный центр СО РАН», г. Красноярск) |
|
| Применение расчетов на основе теории функционала
плотности к исследованию поверхностей полупроводников |
| Жачук Руслан Анатольевич (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Молекулярно-лучевая эпитаксия согласованных и метаморфных гетероструктур на основе соединений AIIIBV |
| Преображенский Валерий Владимирович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Темновые токи и адмиттанс униполярных барьерных систем на основе МЛЭ HgCdTe |
| Войцеховский Александр Васильевич (Томский государственный университет, г. Томск) |
|
| Выполненные С.И. Стениным рентгеновские исследования деформационного и структурного состояния полупроводниковых гетеросистем и их роль в развитии современных наносистем |
| Труханов Евгений Михайлович (Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск) |
|
| Современное состояние CVD и ALD процессов |
| Игуменов Игорь Константинович (Институт неорганической химии СО РАН им. А.В. Николаева, г. Новосибирск) |
|
| Управление спинами электронов кремниевых кубитов в квантовых точках Si/SiGe |
| Ежевский Александр Александрович (Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород) |
|
| Кристаллизация алмаза при высоком давлении в расплаве
Fe-Ni: получение современного материала и ключ к
пониманию природных процессов |
| Чепуров Алексей Анатольевич (Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, г. Новосибирск) |
|