web-master


ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ

Характеристика:
       Высококачественные и ультрачистые тонкие эпитаксиальные полупроводниковые пленки (Si, Ge, и соединения III-V, включая нитриды) на различных подложках.
  1. Селективно-легированные многослойные полупроводниковые структуры с двумерным электронным газом на основе гетеросистем n-AlGaAs/GaAs для изготовления полевых и биполярных сверхвысокочастотных и малошумящих транзисторов диапазона 8 -150 ГГц.
  2. Многослойные гетероэпитаксиальные структуры (МГС) на основе GaAlAs/InAlAs/GaAs для изготовления поверхностно-излучающих лазеров, работающих на длине волны 0.85-1.00 мкм.
  3. МГС на основе гетероструктур Ge-Si с квантовыми точками для изготовления фотодетекторов работающих на длине волны 1,5 - 20 мкм.
  4. МГС па основе гетероструктур AlGaAs/GaAs для изготовления фотодетекторов, работающих на длинах волн 2 -20 мкм.
  5. Полупроводниковые пленки нитридов металлов третьей группы для коротковолновых светоизлучающих устройств голубого - зеленого диапазона (500 нм).
  6. МГС на основе гетеропереходов GaN/AlN/Al203 для изготовления фотодетекторов и производства высокочастотных, мощных транзисторов, работающих при повышенных температурах.
  7. Кремниевые структуры для транзисторов, работающих при низких температурах.
  8. Структуры "Кремний на пористом кремнии" (как аналог структурам кремний на сапфире).
  9. МГС на основе полупроводниковых соединений с квантово-размерными объектами нанометровых размеров для исследований и разработок новых устройств.
Технико-экономические преимущества:
       Новизна и оригинальность технологических решений, рабочие характеристики мирового уровня при низкой себестоимости.

Области применения:
       Элементная база микро-, нано- и оптоэлектроники, лазерные системы, телекоммуникации, спутниковое телевидение и т.д.

Уровень и место практической реализации:
       Экспериментальное малосерийное производство продукции в Институте физики полупроводников СО РАН.

Патентная защищенность:
       Ноу-хау

Коммерческие предложения:
      Выпуск продукции и создание совместного производства, продажа Ноу-хау.

Ориентировочная стоимость:
      Цена продукции около половины стоимости зарубежных аналогов.





Контактная информация:
Россия, 630090, Новосибирск-90, просп. Ак. Лаврентьева-13.
Тел/Факс: (383) 333-35-02,
E-mail: pch@isp.nsc.ru
Руководитель отдела роста и структуры полупроводниковых материалов:
д.ф.-м.н. Олег Петрович Пчеляков