Эпитаксия полупроводниковых гетероструктур в условиях открытого космического пространства |
Работа по программе начата в 1996 году в институте Физики Полупроводников Сибирского Отделения Российской Академии Наук в сотрудничестве с РКК "Энергия" и.м. С.П.Королева.
Преимущества проведения технологического процесса в условиях орбитальных
станций с использованием эффекта молекулярного экрана:
|
|
НАЗНАЧЕНИЕ
Оборудование предназначено для проведения в едином технологическом
цикле следующих процессов:
|
УНИКАЛЬНЫЕ ВОЗМОЖНОСТИ УСТАНОВКИ
|
Адрес:
ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО РАН
630090, Новосибирск, пр.Лаврентьева, 13, тел./факс (383) 333-35-02, тел.333-32-86, е-mail:pch@isp.nsc.ru |